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IRF7755

IRF7755

僅供參考

型號 IRF7755
PNEDA編號 IRF7755
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7755資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7755
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7755, IRF7755數據表 (總頁數: 8, 大小: 249.99 KB)
PDFIRF7755TR數據表 封面
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IRF7755規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1090pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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1.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 5V

功率-最大

150mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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8.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

功率-最大

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