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IRF7809AVTRPBF

IRF7809AVTRPBF

僅供參考

型號 IRF7809AVTRPBF
PNEDA編號 IRF7809AVTRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 32,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7809AVTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7809AVTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7809AVTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3780pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 25.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.72mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

391W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-3

包裝/箱

TO-247-3

TSM180P03CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

127nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

164W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4910pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

47W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 33µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1711pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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