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IRF7811ATRPBF

IRF7811ATRPBF IRF7811ATRPBF

僅供參考

型號 IRF7811ATRPBF
PNEDA編號 IRF7811ATRPBF
描述 MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7811ATRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7811ATRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7811ATRPBF, IRF7811ATRPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 290.77 KB)
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IRF7811ATRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)28V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1760pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

644pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1475pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

185W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.6nC @ 10V

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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