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IRF7811WTRPBF

IRF7811WTRPBF

僅供參考

型號 IRF7811WTRPBF
PNEDA編號 IRF7811WTRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7811WTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7811WTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF7811WTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2335pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 125µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1144pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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