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IRF7910TRPBF

IRF7910TRPBF

僅供參考

型號 IRF7910TRPBF
PNEDA編號 IRF7910TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7910TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7910TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7910TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1730pF @ 6V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Infineon Technologies

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta), 1.4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC, 2.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF, 120pF @ 15V

功率-最大

500mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Super Junction

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

540nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 100V

功率-最大

462W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

867pF @ 15V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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