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IRF7946TR1PBF

IRF7946TR1PBF

僅供參考

型號 IRF7946TR1PBF
PNEDA編號 IRF7946TR1PBF
描述 MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7946TR1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7946TR1PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7946TR1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs212nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6852pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)96W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MX
包裝/箱DirectFET™ Isometric MX

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

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2.1W (Tc)

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10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1070pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

2W (Ta)

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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