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IRF820

IRF820

僅供參考

型號 IRF820
PNEDA編號 IRF820
描述 MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF820資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF820
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF820, IRF820數據表 (總頁數: 12, 大小: 288.02 KB)
PDFIRF820數據表 封面
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IRF820規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds315pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

320nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

51W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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