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IRF8304MTRPBF

IRF8304MTRPBF

僅供參考

型號 IRF8304MTRPBF
PNEDA編號 IRF8304MTRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 28A MX
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 34,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF8304MTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF8304MTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF8304MTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Ta), 170A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4700pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MX
包裝/箱DirectFET™ Isometric MX

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2987pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 105A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

268nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4560pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

268W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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