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IRF8327STRPBF

IRF8327STRPBF

僅供參考

型號 IRF8327STRPBF
PNEDA編號 IRF8327STRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 14A SQ
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF8327STRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF8327STRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF8327STRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1430pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ SQ
包裝/箱DirectFET™ Isometric SQ

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

64.3pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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-

FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

4500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

158pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

594.3pF @ 10V

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