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IRF8513PBF

IRF8513PBF

僅供參考

型號 IRF8513PBF
PNEDA編號 IRF8513PBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF8513PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF8513PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF8513PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A, 11A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds766pF @ 15V
功率-最大1.5W, 2.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Ta), 8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

641pF @ 15V, 1241pF @ 15V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

Microsemi Corporation

系列

CoolMOS™

FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

功率-最大

462W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

528pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 6V

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