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IRF9520STRR

IRF9520STRR

僅供參考

型號 IRF9520STRR
PNEDA編號 IRF9520STRR
描述 MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9520STRR資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9520STRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF9520STRR, IRF9520STRR數據表 (總頁數: 9, 大小: 174.71 KB)
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IRF9520STRR規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds390pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2080pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 10V

Vgs(最大)

+10V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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