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IRF9610STRL

IRF9610STRL

僅供參考

型號 IRF9610STRL
PNEDA編號 IRF9610STRL
描述 MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9610STRL資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9610STRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF9610STRL, IRF9610STRL數據表 (總頁數: 10, 大小: 201.23 KB)
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IRF9610STRL規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds170pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 20W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252AA

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF9640

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta), 1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 16W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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