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IRFB260NPBF

IRFB260NPBF

僅供參考

型號 IRFB260NPBF
PNEDA編號 IRFB260NPBF
描述 MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 15,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFB260NPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFB260NPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFB260NPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)56A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs220nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4220pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)380W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

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技術

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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550V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2670pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

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