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IRFB3004GPBF

IRFB3004GPBF

僅供參考

型號 IRFB3004GPBF
PNEDA編號 IRFB3004GPBF
描述 MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFB3004GPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFB3004GPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFB3004GPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.75mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs240nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)380W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 10V

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-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1415pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

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