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IRFBF20STRRPBF

IRFBF20STRRPBF

僅供參考

型號 IRFBF20STRRPBF
PNEDA編號 IRFBF20STRRPBF
描述 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFBF20STRRPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFBF20STRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFBF20STRRPBF, IRFBF20STRRPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 329.97 KB)
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IRFBF20STRRPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds490pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1000W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

86A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.7mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4460pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3370pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

710mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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