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IRFD9110PBF

IRFD9110PBF

僅供參考

型號 IRFD9110PBF
PNEDA編號 IRFD9110PBF
描述 MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 12,828
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFD9110PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFD9110PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFD9110PBF, IRFD9110PBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,644.18 KB)
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IRFD9110PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)700mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱4-DIP (0.300", 7.62mm)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 54W (Tc)

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70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

156nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1781pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

325mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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