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IRFH5306TRPBF

IRFH5306TRPBF

僅供參考

型號 IRFH5306TRPBF
PNEDA編號 IRFH5306TRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFH5306TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFH5306TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFH5306TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1125pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.6W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱8-PowerVDFN

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220A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6320pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

144nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.5mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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