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IRFH7182TRPBF

IRFH7182TRPBF

僅供參考

型號 IRFH7182TRPBF
PNEDA編號 IRFH7182TRPBF
描述 MOSFET NCH 100V 23A PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFH7182TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFH7182TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFH7182TRPBF, IRFH7182TRPBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 535.91 KB)
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IRFH7182TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列FASTIRFET™, HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Ta), 157A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs74nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3120pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)4W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 8.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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