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IRFI4510GPBF

IRFI4510GPBF

僅供參考

型號 IRFI4510GPBF
PNEDA編號 IRFI4510GPBF
描述 MOSFET N CH 100V 35A TO220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 12,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFI4510GPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFI4510GPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFI4510GPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs81nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2998pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB Full-Pak
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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