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IRFI9620G

IRFI9620G

僅供參考

型號 IRFI9620G
PNEDA編號 IRFI9620G
描述 MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFI9620G資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFI9620G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRFI9620G規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds340pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 8V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2760pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

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功耗(最大值)

357W (Tc)

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