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IRFL024NTRPBF

IRFL024NTRPBF

僅供參考

型號 IRFL024NTRPBF
PNEDA編號 IRFL024NTRPBF
描述 MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 26,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFL024NTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFL024NTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFL024NTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5620pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 93µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

431W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.4mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

163nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

430W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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