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IRFL1006PBF

IRFL1006PBF

僅供參考

型號 IRFL1006PBF
PNEDA編號 IRFL1006PBF
描述 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFL1006PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFL1006PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFL1006PBF, IRFL1006PBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 129.18 KB)
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IRFL1006PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds160pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2575pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

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-55°C ~ 155°C (TJ)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 203A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 330µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5530pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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1.98W (Ta), 9.6W (Tc)

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