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IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF

僅供參考

型號 IRFP21N60LPBF
PNEDA編號 IRFP21N60LPBF
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFP21N60LPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFP21N60LPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFP21N60LPBF, IRFP21N60LPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 197.25 KB)
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IRFP21N60LPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs320mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)330W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 490µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1819pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-0.35V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 50mA, 350mV

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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