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IRFPC50LCPBF

IRFPC50LCPBF

僅供參考

型號 IRFPC50LCPBF
PNEDA編號 IRFPC50LCPBF
描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFPC50LCPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFPC50LCPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFPC50LCPBF, IRFPC50LCPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 604.99 KB)
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IRFPC50LCPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs84nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta), 41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1314pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFP048PBF

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

RSS105N03FU6TB

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

0.75V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

529pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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340mOhm @ 5.8A, 10V

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

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