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IRFPE50PBF

IRFPE50PBF

僅供參考

型號 IRFPE50PBF
PNEDA編號 IRFPE50PBF
描述 MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 28 - 一月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFPE50PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFPE50PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFPE50PBF, IRFPE50PBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,619.62 KB)
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IRFPE50PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

550V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

192mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5950pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

SI5415EDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.8mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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