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IRFPF30

IRFPF30

僅供參考

型號 IRFPF30
PNEDA編號 IRFPF30
描述 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFPF30資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFPF30
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFPF30, IRFPF30數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,504.48 KB)
PDFIRFPF30數據表 封面
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IRFPF30規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs78nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

71mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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STMicroelectronics

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

168W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.75W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 20A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

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