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IRFR010PBF

IRFR010PBF

僅供參考

型號 IRFR010PBF
PNEDA編號 IRFR010PBF
描述 MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 29,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR010PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR010PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR010PBF, IRFR010PBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 292.54 KB)
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IRFR010PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta), 15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

162mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1865pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A (Ta), 50.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2343pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1725pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 125W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

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