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IRFR024NTRRPBF

IRFR024NTRRPBF

僅供參考

型號 IRFR024NTRRPBF
PNEDA編號 IRFR024NTRRPBF
描述 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR024NTRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR024NTRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR024NTRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds370pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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4.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2A, 1.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

185A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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