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IRFR15N20DTRPBF

IRFR15N20DTRPBF

僅供參考

型號 IRFR15N20DTRPBF
PNEDA編號 IRFR15N20DTRPBF
描述 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 32,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR15N20DTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR15N20DTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR15N20DTRPBF, IRFR15N20DTRPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 225.71 KB)
PDFIRFR15N20DTRRP數據表 封面
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IRFR15N20DTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds910pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

215W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.6mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 45µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

240mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

450mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.88nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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