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IRFR210PBF

IRFR210PBF

僅供參考

型號 IRFR210PBF
PNEDA編號 IRFR210PBF
描述 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 25,800
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR210PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR210PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR210PBF, IRFR210PBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 810.47 KB)
PDFIRFR210TRR數據表 封面
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IRFR210PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1157pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 33A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

905pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 62W (Tc)

工作溫度

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2994pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

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