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IRFR2307ZPBF

IRFR2307ZPBF

僅供參考

型號 IRFR2307ZPBF
PNEDA編號 IRFR2307ZPBF
描述 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR2307ZPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR2307ZPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR2307ZPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs75nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2190pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

495nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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16.5A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1590pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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FET功能

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