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IRFR2607ZPBF

IRFR2607ZPBF

僅供參考

型號 IRFR2607ZPBF
PNEDA編號 IRFR2607ZPBF
描述 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR2607ZPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR2607ZPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR2607ZPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs51nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1440pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

486pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta), 185A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 106W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2950pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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