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IRFR3103

IRFR3103

僅供參考

型號 IRFR3103
PNEDA編號 IRFR3103
描述 MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3103資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3103
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR3103, IRFR3103數據表 (總頁數: 6, 大小: 173.79 KB)
PDFIRFR3103TRR數據表 封面
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IRFR3103規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds170pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

3.8W (Ta), 150W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3840pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

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