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IRFR3706TRL

IRFR3706TRL

僅供參考

型號 IRFR3706TRL
PNEDA編號 IRFR3706TRL
描述 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3706TRL資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3706TRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR3706TRL, IRFR3706TRL數據表 (總頁數: 11, 大小: 220.98 KB)
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IRFR3706TRL規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2410pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1645pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 500V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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功耗(最大值)

68W (Tc)

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