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IRFR420TRRPBF

IRFR420TRRPBF

僅供參考

型號 IRFR420TRRPBF
PNEDA編號 IRFR420TRRPBF
描述 MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR420TRRPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR420TRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR420TRRPBF, IRFR420TRRPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 1,225.5 KB)
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IRFR420TRRPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds360pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

142A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 71A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 178W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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