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IRFS11N50A

IRFS11N50A

僅供參考

型號 IRFS11N50A
PNEDA編號 IRFS11N50A
描述 MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS11N50A資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS11N50A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFS11N50A, IRFS11N50A數據表 (總頁數: 10, 大小: 346.15 KB)
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IRFS11N50A規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs52nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1423pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)170W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3860pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7435pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1538pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta), 54.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Tc)

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-

功耗(最大值)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)

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