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IRFS3507

IRFS3507

僅供參考

型號 IRFS3507
PNEDA編號 IRFS3507
描述 MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS3507資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS3507
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFS3507, IRFS3507數據表 (總頁數: 12, 大小: 359.75 KB)
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IRFS3507規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)97A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.8mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3540pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1590pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

203nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8190pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1452pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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-

功耗(最大值)

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