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IRFS52N15DTRLP

IRFS52N15DTRLP

僅供參考

型號 IRFS52N15DTRLP
PNEDA編號 IRFS52N15DTRLP
描述 MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS52N15DTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS52N15DTRLP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFS52N15DTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)51A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs89nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2770pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

141nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8061pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

306W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

45.6A (Ta), 186A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5900pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

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