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IRFS9N60ATRL

IRFS9N60ATRL

僅供參考

型號 IRFS9N60ATRL
PNEDA編號 IRFS9N60ATRL
描述 MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS9N60ATRL資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS9N60ATRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFS9N60ATRL, IRFS9N60ATRL數據表 (總頁數: 10, 大小: 225 KB)
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IRFS9N60ATRL規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)170W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.36A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

459pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.12W (Ta)

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安裝類型

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-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1625pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 64A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

173nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5033pF @ 25V

FET功能

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340W (Tc)

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