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IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF

僅供參考

型號 IRFSL11N50APBF
PNEDA編號 IRFSL11N50APBF
描述 MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 16,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFSL11N50APBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFSL11N50APBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFSL11N50APBF, IRFSL11N50APBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 340.99 KB)
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IRFSL11N50APBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs51nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1426pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262-3
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 136A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3071pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

34.7W (Tc)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

500W (Tc)

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