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IRFU3410PBF

IRFU3410PBF

僅供參考

型號 IRFU3410PBF
PNEDA編號 IRFU3410PBF
描述 MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 24,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU3410PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU3410PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFU3410PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1690pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 190µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

761pF @ 400V

FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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