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IRFU430APBF

IRFU430APBF

僅供參考

型號 IRFU430APBF
PNEDA編號 IRFU430APBF
描述 MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 28,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU430APBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU430APBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFU430APBF, IRFU430APBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 241.15 KB)
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IRFU430APBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.7Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds490pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251AA
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

177nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.85mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 34W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1386pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

840mW (Ta), 22.3W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.4nC @ 10V

Vgs(最大)

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-

功耗(最大值)

69W (Tc)

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