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IRFZ46NS

IRFZ46NS

僅供參考

型號 IRFZ46NS
PNEDA編號 IRFZ46NS
描述 MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFZ46NS資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFZ46NS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFZ46NS, IRFZ46NS數據表 (總頁數: 11, 大小: 257.35 KB)
PDFIRFZ46NSTRL數據表 封面
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IRFZ46NS規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)53A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1696pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

570mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

152pF @ 16V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

311pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 28.8W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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