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IRFZ48NSTRR

IRFZ48NSTRR

僅供參考

型號 IRFZ48NSTRR
PNEDA編號 IRFZ48NSTRR
描述 MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFZ48NSTRR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFZ48NSTRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFZ48NSTRR, IRFZ48NSTRR數據表 (總頁數: 11, 大小: 136.79 KB)
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IRFZ48NSTRR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)64A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs81nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1970pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.04nC @ 1.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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