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IRFZ48ZSPBF

IRFZ48ZSPBF

僅供參考

型號 IRFZ48ZSPBF
PNEDA編號 IRFZ48ZSPBF
描述 MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFZ48ZSPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFZ48ZSPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFZ48ZSPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)61A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1720pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)91W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

182mOhm @ 12.5A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 4.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.56Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

178W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

108V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

111nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5512pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

263W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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