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IRG4BC10SD-S

IRG4BC10SD-S

僅供參考

型號 IRG4BC10SD-S
PNEDA編號 IRG4BC10SD-S
描述 IGBT 600V 14A 38W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC10SD-S資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC10SD-S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4BC10SD-S, IRG4BC10SD-S數據表 (總頁數: 13, 大小: 220.09 KB)
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IRG4BC10SD-S規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)18A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 8A
功率-最大38W
開關能量310µJ (on), 3.28mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15nC
25°C時的Td(開/關)76ns/815ns
測試條件480V, 8A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)28ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 35A

功率-最大

300W

開關能量

840µJ (on), 280µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

125nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 32A

功率-最大

400W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

142nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/160ns

測試條件

1250V, 32A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1500ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

42.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 8.5A

功率-最大

40W

開關能量

200µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/106ns

測試條件

400V, 8.5A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

51ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

PG-TO220-3 Full Pack

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

500W

開關能量

1.9mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

74nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/78ns

測試條件

450V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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