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IRG5U200SD12B

IRG5U200SD12B

僅供參考

型號 IRG5U200SD12B
PNEDA編號 IRG5U200SD12B
描述 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG5U200SD12B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG5U200SD12B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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IRG5U200SD12B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)320A
功率-最大1430W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.5V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce23nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 62 Module
供應商設備包裝POWIR® 62

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30A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Module

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

450W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

29nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

功率-最大

65W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

830pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

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-

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