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IRG7CH20K10EF

IRG7CH20K10EF

僅供參考

型號 IRG7CH20K10EF
PNEDA編號 IRG7CH20K10EF
描述 IGBT 1200V DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH20K10EF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH20K10EF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH20K10EF規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6A

功率-最大

100W

開關能量

110µJ (on), 220µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/127ns

測試條件

400V, 6A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Renesas Electronics America

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

9V @ 3V, 150A

功率-最大

1.6W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.91V @ 15V, 10A

功率-最大

101W

開關能量

29µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/79ns

測試條件

400V, 10A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

62ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 40A

功率-最大

500W

開關能量

2.55mJ (on), 1.55mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

285nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/315ns

測試條件

600V, 40A, 9Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

400ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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