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IRG7CH50UEF

IRG7CH50UEF

僅供參考

型號 IRG7CH50UEF
PNEDA編號 IRG7CH50UEF
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH50UEF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH50UEF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH50UEF規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 40A

功率-最大

429W

開關能量

2.02mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

335nC

25°C時的Td(開/關)

-/336ns

測試條件

600V, 40A, 7.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

192A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 48A

功率-最大

300W

開關能量

1.7mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/140ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 5A

功率-最大

65W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

300µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

97nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/250ns

測試條件

400V, 10A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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