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IRG7T150HF12B

IRG7T150HF12B

僅供參考

型號 IRG7T150HF12B
PNEDA編號 IRG7T150HF12B
描述 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7T150HF12B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7T150HF12B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IRG7T150HF12B, IRG7T150HF12B數據表 (總頁數: 6, 大小: 873.7 KB)
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IRG7T150HF12B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)300A
功率-最大910W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)2mA
輸入電容(Cies)@ Vce20.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 62 Module
供應商設備包裝POWIR® 62

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.48V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

83nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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